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圖1.1 - 21穩壓管穩壓電路
(2)光電二極管
在光的照射下,半導體中激發產生電子一空穴對,改變了半導體的導電能力。反之,在
某些半導體中,當半導體中自由電子和空穴復合時,產生光的輻射,且不同半導體材料,輻
射不同顏色的光。例如,磷砷化鎵( GaAsP)發紅光或黃光,磷化鎵(GaP)發紅光或綠
光,氮化鎵( GaN)發藍光,砷化鎵(GaAs)發不可見的紅外光等。
利用上述光電轉換原理,可以制成各種光電二極管,如發光二極管、光敏二極管和光電
耦合囂等。 i
1)發光二極管
發光二極管(Light - Emitting Diode簡寫為LED)是由電能轉換為光能的一種半導體器
件。它由PN結組成,其結構示意圖、電路符號和伏安特性如圖1.1- 22所示。
輻射光PN結
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┃ 25 ┃ ┃
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圖1.1 - 22發光二極管的結構示意圖和電路符號
當外加正偏時,P型半導體接電源的正極,N型半導體接電源的負極,半導體中的自由
16電子技術基礎
電子與空穴復合而發光。
發光二極管的伏安特性與普通二極管相似,它的正向導通電壓在1. 35~2-5 V之間,其
反向截止電壓約在3—6 v之間。發光二極管的發光亮度與通過的正向電流成正比地增加,
但正向電流過大時,亮度的增加趨緩。通常發光二極管的典型工作電流為10—nA。
發光二極管廣泛用來構成七段數字顯示器,用七只發光二極管排列成8字形,控制各段
發光二極管的通斷可顯示0—9的10個數字。控制通斷的電路如圖1.1 - 23所示。(a)所示
為共陽極連接,(b)所示為共陰極連接,R為限流電阻。
圖1.1 - 23七段數字顯示器電路接法
(a)共陽極;(b)共陰極
2)光敏二極管
光敏二極管是光能轉換為電能的j種半導體器件,它有一個能受到光輻射的PN結,通
常是由硅半導體材料按平面型二極管的工藝來制造,如圖1.1 - 24所示。光是由微小的粒子
N
圖1.1 - 24光敏二極管的結構和符號
——————————————————————————————————』堡二墮擬電子技術基礎17
—————————————一
(光子)組成,當這樣的光子進入PN結后,便會將它的能量賦給電子,而電子接受到足夠
的能量后,就能夠掙脫原子軌道的束縛,于是便成對地產生自由電子和空穴j它們將對流過
PN結的電流產生影響。這種作用過程稱為內部的光電效應。
光電效應的大小取決于半導體材料、照射光的波長和照度,總之,半導體材料在光的照
射下,,由內部的光電效應會產生導電載流子。
光敏二極管工作在反向偏置狀態,在沒有光照的情況下,流過光敏二極管的只是很微弱
的暗電流(無照電流),它是由半導體的材料性質和環境溫度來決定的。在有光照的情況
下,其電流(亮電流或光電流,P)的增長與照度E。成正比關系,如圖1.1 - 25所示。從特
性曲線可以看出,光敏二極管工作在反向偏置狀態,流過它的電流隨著照度的增大而增大。
它具有變阻特性。
101
100
‘圣10_1
10-2
10-3
圖1.1 - 25光敏二極管的特性曲線
10i l02 103
Ev /lx
3)光電耦合器
光電耦合器是由一個輻射光發射器和一個輻射光接收器組成,它們都被封裝在一個不透
光的外殼內,以防正外界的干擾,如圖1.1 - 26所示。它運用紅外線發光二極管作為輻射光
發射器。輻射光接收器也稱之為檢測器,根據不同的應用范圍,可以采用光敏二極管、光敏
晶體管或光敏可控硅元件。
圖1.1 - 26光電耦合器
光的輻射是通過發光二極管的輸入電流,,來產生的,它在光敏二極管的PN結作用后,
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民用航空器維修基礎系列教材 電子技術基礎(11)