曝光臺 注意防騙 網曝天貓店富美金盛家居專營店坑蒙拐騙欺詐消費者

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┃    rr    l         ┃0川 0.5  0.6  ﹢圖1.2 -6晶體三極管的輸入特性曲線
u。。增加時，曲線將向右移動�；蛘哒f，當u。。一定時，隨著UCE的增大，，e將相應地減小。
    從圖中可以看到，在U。。=0.3 V和U。。=10 V條件下的，。電流變化不大。所以，在工
程分析上，三極管工作于放大狀態時，通常只畫出Uc。>0.3 V的一條輸入特性曲線，而不
考慮U。。變化的影響，認為晶體管的輸入特性曲線是一條不隨UCE變化的曲線。
    晶體管輸入特性也有一段死區。只有在發射結外加電壓大于死區電壓時，晶體管才會出
現k電流。硅管的死區電壓約為0.5 V，鍺管的死區電壓約為0.1 V。在正常工作。隋況下，
NPN型硅管的發射結電壓U。E=0.6—0.7 V，PNP型鍺管的UBE -0.2—0.3 V。
    (2)輸出特性曲線
    輸出特性曲線是指當基極電流，。為常數時，輸出電路（集電極電路）中集電極電流，c
與集一射極電壓U。。之間的關系曲線J『。= f(U。。)。在不同的Je下，可得出不同的曲線，所以
晶體管的輸出特性曲線是一個曲線簇，如圖1.2 -7歷示。
飽和
圖1.2 -7晶體管的輸出特性曲線
上篇模擬電子技術基礎25
    從曲線上可以看出，當/B-定時，L基本不隨UCE變化，具有恒流特性。
    當J『。增大時，相應的k也增大，曲線上移，而且，。比，B增加得多，這就是晶體管的電流
放大作用。通常把晶體管的輸出特性曲線分為三個工作區和一個擊穿區。
    1)放大區
    輸出特性曲線近于水平的部分是放大區，在圖1.2 -7中標出。在放大區，t=p/B。
    放大區也稱為線性區，因為，。和k成正比的關系。圖中顯示，基極電流，。從20 pdA變
化到30 pdA，即A/B=10 I_LA，集電極電流L從2 mA變化到3 mA，即A/c =1 mA，它們的比
值箬魯=100，也就是說集電極電流把基極電流放大了100倍，這就是晶體三極管的放大作
用。如前所述，晶體管工作于放大狀態時，發射結處于正向偏置，集電結處于反向偏置，即
對于NPN型管而言，應使UBE >0，UBC <0。
  2)截止區
  嚴格來說，在三極管截止狀態，認為發射極E和集電極C之間開路，相當于開關斷開，
即，。=0時。對NPN型硅管而言，當UBE<0.5 V時，管子就已開始截止，但為了截止可靠，
常使UBE≤0。截止時集電結也處于反向偏置。在實際電路中一般規定：，。=0(相應地，。一
0)以下的醫域稱為截止區，認為此時晶體三極管截止。雖然此時還有厶電流存在，但因這
一電流很小，可以忽略。晶體管截止時，發射結反向偏置，集電結也反向偏置。
  3)飽和區
  嚴格來說，在三極管飽和狀態，認為發射極E和集電極C之間短路，相當于開關接通。
但實際三極管的C、E之間總是存在一個約0.3 V的飽和壓降，并且這一電壓一般作為放大
區和飽和區的分界線。當UCE<UBE時，集電結處于正向偏置，晶體管工作于飽和狀態。在
飽和區，，。的變化對如的影響較小，兩者不成正比，放大區的JB也不適用于飽和區。晶體管
飽和時，發射結、集電結都處于正向偏置。
  4)擊穿區
  隨著UCE的增大，加在集電結上的反偏電壓UCB相應地增大。當UCE增大到一定數值時，
集電結發生擊穿，造成，C電流劇增，從而使晶體三極管燒壞。在三極管應用中應該避免使用
這一區域。
    綜上所述，在放大器中，晶體三極管工作在放大區；在開關電路中，晶體三極管工作于
飽和區和截止區。
    2．晶體管的檢測
    (1)用萬用表判別管腳極性
    圖1.2 -8是UCE =0時晶體管的結構示意圖，PNP或NPN型管在測量極間電阻時都可以
看成是反向串聯的兩個PN結，顯然PNP型管基極對集電極、發射極都是反向的；NPN犁管恰
好相反，基極對集電極、發射極都是正向的，這是我們識別基極和判斷管型的依據。
　
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